作者：韩雪涛
出版社：电子工业出版社
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新型手机集成电路速查手册试读：
前言
随着通信技术和计算机网络技术的发展，手机得到了迅速的普及，特别是智能手机的问世，为手机的应用提供了更为广阔的空间。如今手机不仅是一个移动电话机，而且是融合了计算机技术、网络技术及音频、视频信号处理技术的多媒体信息产品。手机体积小巧，然而智能化水平却很高，这都是依赖于高性能的硬件（芯片）技术和功能强大的软件技术支撑。为满足各阶层人员的需求，手机已将通信、娱乐、办公及日常事务的处理工作等项功能集于一体。
我国人口众多，手机的拥有量也居世界之首。为了争夺市场，各生产厂商不断地更新技术，推出新的产品，由于不同手机性能和功能的不同，所采用的电路结构也不同，加之品牌众多，其单元电路和芯片型号，结构也有很大的差异。
为满足从事手机研发、生产、调试、维修和售后服务人员对新技术、新资料的需求，数码维修工程师鉴定指导中心组织编写了《新型手机集成电路速查手册》。
本书汇集了市场上流行的各种品牌手机单元电路和集成电路芯片的结构和实用数据。
本书打破了传统工具书编写风格，在编写理念上将实用技术培训和数据资料查询两种功能相结合，从读者的实际需求出发，结合行业的特点，以手机的核心电路为出发点，所有的维修资料及数据都依托围绕集成电路的核心电路精解展开。让读者不仅可以将本书作为“培训教程”来学习，而且也能够将本书作为工作时的“资料宝典”查询使用。
本书在编写方式上摒弃传统工具书的单纯数据罗列的制作手法，而是选择手机的核心电路为切入点，通过对核心电路的精解，进而将该手机集成电路的维修资料和实用数据全部“呈现”给读者，使读者能够知道这些电路的特点、内涵与具体用途。最大限度地开发图书实用价值。真正将实用技能培训教程与实用工具手册两种功能融合在一起，达到系统性、完整性、实用性的全面统一。
为了便于学习与查阅，本书对原产品的电路图中不符合国家标准的图形及符号未做修改，以便读者在学习时能将实际设备与电路图进行对照，准确查找，在此特加说明。
本书由韩雪涛任主编，韩广兴、吴瑛任副主编，参与编写的还有张丽梅、宋永欣、梁明、宋明芳、马楠、马来、孙继雄、王斌、庞明齐、张相萍、吴玮、高瑞征、吴鹏飞、韩雪冬、吴惠英、王新霞、韩菲等。
为了更好的满足读者的需求，达到最佳的学习效果，本书得到了数码维修工程师鉴定指导中心的大力支持。如果读者在学习和考核认证方面有什么问题，可通过以下方式与我们联系。
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第1章 手机基本电路和集成电路芯片
1.1 手机和移动通信技术
手机是一种袖珍型便携式通信设备，它是借助于无线和有线网络实现电话互通和数据互通，如图1-1-1所示。图1-1-1 手机间的基本通信网络1.1.1 移动通信系统的组成
传统的信息传递多采用有线传输方式，即使用电话机通过线缆传输信号，实现信息的互通。手机作为无线移动通信设备，它是采用无线移动通信方式进行信息的传递，图1-1-2所示的是GSM（全球移动通信系统）移动通信系统的结构示意图，可以看到GSM移动通信系统主要是由移动台（手机等移动设备）、基站（BS）、移动业务交换中心（MSC）及电话网（PSTN）等几部分组成的，它是将一个大的无线服务区，划分成许多蜂窝状无线小区，每个蜂窝状无线小区都设有一个基站（BS）。它通过移动通信收发天线发射和接收无线电波与移动台（手机等移动设备）进行通信。在整个大的无线服务区中，所有的基站（BS）都与移动业务交换中心（MSC）进行有线或无线连接。基站（BS）将接收到的移动台（手机等移动设备）的信号送往移动业务交换中心（MSC）进行处理，再由移动交换中心将信号发射到基站，由基站送到移动台，这样就实现了手机与手机之间的无线通信。
此外，移动交换中心（MSC）还通过中继线直接与电话网（PSTN）相连，使得手机与固定电话之间也可以进行通信。
在进行无线移动通信的过程中，为了识别移动台（手机等移动设备）身份，即在通信时能够找到所要寻找的用户，每部手机都有一个用户识别码（IMSI），该识别码包括移动通信国家码、移动网号、移动用户识别码和国内移动用户识别码。而在实际使用中，为了便于操作与控制，常常用临时用户识别码（TMSI）来代替（IMSI）。TMSI和IMSI这两个识别码都存于SIM卡内，在手机入网时，IMSI和TMSI的识别信息就会发射到基站，然后由基站转发到移动业务交换中心（MSC）进行确认，这样，手机就相当于具有了合法身份，可以自由使用了。图1-1-2 GSM（全球移动通信系统）移动通信系统的结构示意图1.1.2 手机的通信方式
手机的各种通信方式如图1-1-3所示，主要有三种方式，即FDMA（Frequency Division Multipe Access频分多址传输方式）、TDMA（Time Division Multipe Access时分多址传输方式）、CDMA（Code Division Multipe Access码分多址传输方式）。
数字手机的信号处理整体过程如图1-1-4所示。在发送状态下，话筒信号经A/D转换器变成数字信号，然后进行数字编码。为了进行误码校正，要采取数据信号的交叉交织及数据转换等处理过程。帧处理是电路对信号采用时分多重（TDMA）或码分多重（CDMA）等手机特有的信号处理方式。经帧处理后，再进行数字编码和数字调制处理，即完成D/A转换和正交转换，最后经数字调制的信号进行功率放大和发射。图1-1-3 手机的各种通信方式
对手机发来的信号，由天线接收后进行相反的处理。天线接收的信号先进行低噪声放大，再进行同步检波、A/D转换，变成数字信号后进行数据解码（含波形均衡处理）与TDMA或CDMA处理，还原出原语音数字信号，并进行误码校正处理（即去交叉交织处理），最后经D/A转换器变成模拟音频信号去驱动扬声器。图1-1-4 数字手机的信号处理过程1.1.3 CDMA移动通信系统
CDMA移动通信系统与GSM移动通信系统的工作原理基本相同，只是多址技术的实现方法不同， CDMA采用码分多址技术。在CDMA系统中每一个移动用户终端都被分配一个独立的随机码序列。
图1-1-5所示是CDMA发送系统的结构方框图，话音信号经声码器变成数字音频信号，它在处理时与辅助数据信号一起送入编码器进行数字编码，然后将编码的数字信号进行交叉交织处理，这是为了在接收时进行误码和漏码检测和纠错处理。因为手机使用的环境不同，信号传输时受到的干扰也不同，而且传输的过程中还会受到建筑物、大型输变电设备、雷电等干扰，可能使手机传输的信号发生错误及信号丢失等情况。手机发送前的处理就是为了提高可靠性，提高抗干扰性等所采取的措施。手机数字处理还包括维氏转换、仿真噪声编码产生器、数据增强随机化电路，最后进行信号合成，再调制到射频载波上发射出去。
图1-1-6所示是CDMA手机接收系统的结构方框图，天线接收到基站转发的对方手机信号，将信号送到高频解调器，高频解调器是由低噪声放大器、滤波器、混频器等电路构成的，将数字信号从射频载波上提取出来（解调出来），然后再对解调出来的信号进行解码处理。信号经滤波器（指状电路）分别提取数字信息，并经去交叉交织处理，维特比解码（维氏解码）恢复发射前的数字信号。再经声码器、D/A转换器输出话音信号。同时分离出辅助数据信号（显示等）。
在接收电路中，还设有频率调谐和频率跟踪电路，使接收的信号频率准确无误。
输出功率控制电路是产生频率控制信号和输出功率控制信号的电路，该电路通过对频率和功率的检测形成自动控制电压，在环境因素变化的情况下也能保证整个电路的稳定工作。
信号检索电路产生导频信号的位置信息为微处理器提供参考信息。图1-1-5 CDMA手机发送系统的结构方框图图1-1-6 CDMA手机接收系统的结构方框图1.1.4 手机的制式和移动通信技术
移动通信技术是整个移动通信系统的核心，移动通信网络的模式、信息的传输速度及数据安全和其他功能的拓展等都是由移动通信技术决定的。
1．第1代移动通信技术（1G）和第2代移动通信技术（2G）
在移动通信的初期采用的是第1代移动通信技术（1G），其代表为已经淘汰的模拟移动网络。
目前，正在广泛采用的是第2代移动通信技术（2G），该技术的代表就是GSM（Global System for Mobile Communications，中文译为全球移动通信系统），它是以数字语音传输技术为核心。
GSM系统具有防盗拷能力佳、网络容量大、号码资源丰富、通话清晰、稳定性强且不易受干扰、信息灵敏、通话死角少、手机耗电量低等特点。它包括GSM 900（900MHz）、GSM 1800（1800MHz）及GSM 1900（1900MHz）等几个频段。其中，以GSM 900和GSM 1800两个频段进行比较。GSM900发展的时间较早，其频谱较低，波长较长，穿透力较差，但传送的距离较远。相对而言，GSM 1800的频谱较高，波长较短，穿透力佳，但传送的距离相对较短。
我们现在所使用的手机很多都是GSM制式的手机。早期，GSM制式的手机多采用GSM900的频段，后来，随着GSM 1800频段的使用，许多GSM制式的手机都具有双频功能，即可以自由地在GSM 900和GSM 1800两个频段间切换。随着GSM 1900频段的使用（欧洲国家普遍采用），现在已经出现了可以在GSM 900/GSM 1800/GSM 1900三个频段间自由切换的三频手机。真正实现了手机的全球通。
2．第2.5代移动通信技术（2.5G）
随着用户对移动通信容量、品质和服务内容的需求不断增加，在第2代移动通信技术（2 G）的基础上又出现了第2.5代移动通信技术（2.5G）。它是基于第2代移动通信技术（2 G）和第3代移动通信技术（3G）之间的过渡类型。它可以使用现有的GSM网络轻易地实现数据的高速分组和简便接入。其传输速度和带宽都在2G的基础上有所提高。CDMA、GPRS、HSCSD、EDGE等技术都是第2.5代移动通信技术的代表。（1）CDMA
CDMA（Code Division Multiple Access译为“码分多址分组数据传输技术”），与GSM的系统结构基本类似，但由于新技术的应用，使得CDMA能够满足市场对移动通信容量和品质的高要求，具有频谱利用率高、话音质量好、保密性强、掉话率低、电磁辐射小、容量大、覆盖广等特点。
与GSM制式的手机相比，CDMA制式的手机由于采用了CDMA中所提供的语音编码技术，可以把用户对话时周围环境的噪声降低，使通话更为清晰。同时CDMA扩频通信技术的使用，不仅可以减小手机之间的干扰，不易掉话，而且手机的功率也相对较低，手机的使用时间更长，电磁波的辐射也更小。此外，CDMA带宽的扩展，也使得手机可以用来传输影像等多媒体资源。
目前，为了适应市场的需要，手机生产厂商推出了双模手机，这种手机可以同时支持GSM及CDMA两个网络通信技术，它可以根据环境或者是实际操作的需要来从中做出选择，哪个网络技术更能发挥作用，就让手机切换到哪种模式下去工作，如果在一种模式下，手机通信质量不高或者是出现其他不良的通信现象，可以自由转到另外一个网络模式上工作，这不仅扩大了手机的通话频率，而且大大提高了通信的稳定性。（2）GPRS
GPRS是General Packet Radio Service（通用分组无线服务）的简称，它是在现有的GSM网络基础上开通的一种新型的高速分组数据传输技术。提供端到端的、广域的无线IP连接。
相对于原来的GSM以拨号接入的电路交换数据传送方式，GPRS采用分组交换技术，在网络资源的利用率上有了很大的提高。而且可以同时进行语音和数据的传递。目前，GPRS移动通信网的传输速度可达115 Kb/s。具有数据传输稳定、高效、信息量大等特点。（3）HSCSD
HSCSD（High Speed Circuit Switched Data），即高速电路交换数据服务。它也属于2.5G的一种技术，是GSM网络的升级版本，能够透过多重时分同时进行传输，而不是只有单一时分而已，因此能够将传输速度大幅提升到平常的二至三倍。目前新加坡M1与新加坡电信的移动电话都采用HSCSD系统，其传输速度能够达到57.6 Kb/s。（4）EDGE
EDGE是Enhanced Data rate for GSM Evolution（增强数据速率的GSM演进）的简称，是速度更高的GPRS后续技术。EDGE完全以目前的GSM标准为架构，不但能够将GPRS的功能发挥到极限，还可以透过目前的无线网络提供宽频多媒体的服务。可以应用在诸如无线多媒体、电子邮件、网络信息娱乐及电视会议上。
3．第3代移动通信技术（3G）
第3代移动通信技术主要的目标在于为用户提供更好的语音、实时视频、高速多媒体及移动Internet访问业务，如图1-1-7所示。
它的主要优点是能极大地增加系统容量、提高通信质量和数据传输速率。此外利用在不同网络间的无缝漫游技术，可将无线通信系统和Internet连接起来，从而可对移动终端用户提供更多更高级的服务。可以看出，3G制式的手机功能更强大，它能够处理图像、语音、视频流等多种媒体形式，提供包括网页浏览、电话会议、电子商务等多种信息服务。
目前，W-CDMA、TD-SCDMA、CDMA2000-3X技术都是第3代移动通信技术（3G）的代表。（1）W-CDMA
W-CDMA（Wideband CDMA，译为宽频分码多重存取）是由GSM网发展出来的3G技术规范，它可支持384Kb/s到2 Mb/s不等的数据传输速率，在高速移动的状态，可提供384 Kb/s的传输速率，在低速或是室内环境下，则可提供高达2 Mb/s的传输速率。图1-1-7 3G手机的多媒体传输
W-CDMA是采用频谱扩展技术的新一代通信方式，各手机之间通信可以使用同一频带，W-CDMA是以DS-CDMA（Direct Sequence-Code Division Multipe Access，直接扩展编码分址数据传输技术）方式为基础的天线连接方式。由于各手机在同一时间可以使用同一频率，对各手机的识别根据扩展编码的不同，其原理如图1-1-8所示。图1-1-8 DS-CDMA的工作原理
手机发送信号时，话音信号经过信道编码的数字信号，再进行窄带调制即数字调制，然后进行扩展处理形成手机的扩展编码，频带扩散，即5MHz。由于这种方式可以采用同一载波传输信息，因而蜂窝小区间相互干扰很小。
此外，在同一种传输通道中，W-CDMA还可以提供电路交换和分包交换的服务，消费者可以同时利用交换方式接听电话，然后以分包交换方式访问因特网，实现语音、数据的同时传输。在费用方面， W-CDMA因为是借助分包交换的技术，所以，网络使用的费用不是以接入的时间计算，而是以消费者的数据传输量来定。（2）TD-SCDMA
TD-SCDMA全称Time Division-Synchronous CDMA，该标准是由我国大唐电信公司提出的3G标准。该标准将智能无线、同步CDMA和软件无线电等当今国际领先技术融于其中。由于中国国内庞大的市场，该标准受到各大主要电信设备厂商的重视，全球一半以上的设备厂商都宣布可以支持TD-SCDMA标准。（3）CDMA 2000-3 X
CDMA 2000-3 X是由美国高通北美公司为主导提出的，是从窄频CDMA 2000-1 X数字标准衍生出来的。目前，虽然普及范围相对较小，但其发展速度较快。
4．第4代移动通信技术
近10年来，移动通信技术得到了飞速的发展，特别是第3代移动通信系统（3G）的出现，使得移动通信技术前进了一大步。3G的各种标准和规范日趋完善。随着数字技术的发展和人们需求程度的提高，第4代移动通信系统已经进入了起步阶段。
第4代移动通信系统具有如下特点：
①信息传输速率更快；
②带宽更宽；
③容量更大；
④智能性更高；
⑤兼容性更强；
⑥能实现更高质量的多媒体通信。
相对于3G而言，第4代移动通信系统（4G）在技术和应用上将有质的飞跃，它不仅仅是在第3代移动通信的基础上再添加某些新的改进技术。4G通信将是一个比3G通信更加完美的新无线世界。它将创造出许多难以想象的应用。未来的无线移动通信系统是覆盖全球的信息网络中的一部分，它将包括室内的无线LAN、室外的宽带接入、智能传输系统（ITS）等。
4G系统中的OFDM技术将得到广泛的关注，另外MC-CDMA（多载波CDMA）技术也将在4G中得到应用。同时，4G将突破蜂窝组网的概念，发展以数字广带（Broad band）为基础的网络，成为一个集无线LAN和基站宽带网络的混合网络，这种基于IP技术的网络架构使得在3G、4G、W-LAN、固定网络之间的漫游得以实现。
3G保留了2G所使用的电路交换，采用的是电路交换和分组交换并存的方式，而4G将完全采用基于IP的分组交换，使网络能根据用户需要分配带宽。
在天线技术方面，4G包括智能天线、发射分集、MIMO等多种技术。其中的智能天线技术将在4G中得到普遍的应用。智能天线具有抑制信号干扰、自动跟踪及数字波束调节等智能性功能，能满足数据中心、移动IP网络的性能要求，并且，智能天线成形波束能在空间域内抑制交互干扰，增强特殊范围内想要的信号，所以，这种技术既能改善信号质量又能增加传输容量。
由于4G采用纯IP方式进行交换，但无线系统资源（频率和发射功率）是有限的，且容易阻塞，因此有必要采用无线Qos资源控制，以保证业务质量和支持各种级别的应用。无线Qos资源控制方式既能支持实时性应用，也能支持非实时性应用。
作为新的移动通信系统，4G将不仅仅应用于蜂窝电话通信领域，它还能够提供全息录音、远程控制卡及移动虚拟实现等功能。
1.2 手机的电路结构和信号处理过程
1.2.1 手机接收信号的过程图1-2-1所示为手机的电路结构方框图。可以看到，当在接听对方手机信号的情况下，手机的天线收到蜂窝小区的基地站天线发射的电磁波，并感生出电流送入天线开关。图1-2-1 手机电路结构方框图
接收的信号频率正常是900MHz左右和1800MHz左右（双频手机），这两个信号分别经两个高频带通滤波器滤除干扰和噪波，然后进行低噪声放大（LNA），将微弱的信号放大到足够的强度，再送到混频电路中进行差频处理。一本振的信号作为外差信号送到混频电路与接收的信号进行合成，这样混频电路会产生多种频率的信号。其中我们需要的是两者之差，混频电路的输出端接有中频滤波器。它的功能是提取差频信号而阻止其他频率的信号。中频混波后的信号就是中频信号，即手机收到的载波变换成了中频信号。中频信号中调制的话音信息内容在这个变频过程中没有变化。中频信号再经中频放大器进行放大，然后送入中频解调电路中进行解调处理。从中频载波中解调出基带信号（RX-I/O），并从信号电路中检测出场强信号（RISS）。所谓基带信号是指表示手机话音的最基本的数字信号。
手机接受的信号经中频解调后取出基带信号（I/O），然后送到数字信号处理电路中进行解调，均衡（补偿）、解密（原发射前进行了加密处理，这是为保证通信安全所采取的技术手段）、去交织处理（目的是对传输的信号进行纠错处理）。
经上述处理后，再进行信道解码（信号在传输前进行了信道编码），还原出源编码信号。该信号再进行语音解码，恢复出原脉冲编码的音频信号（PCM），最后进行PC解码，即音频信号的D/A转换器。将数字音频信号还原成模拟音频信号，经音频放大后去驱动扬声器（或听筒）发声。1.2.2 手机发射信号的过程
发射信号是指手机向对方的手机发送信号，如图1-2-1所示。用户讲话的声音由话筒（MIC）变换成电信号，经话筒放大器将微弱的电信号进行放大，然后经D/A转换器将模拟语音信号变换成脉冲编码信号，即PCM信号。PCM信号是数字音频信号，该信号经语音编码和信道编码处理是为了便于传输数字信号。经信道编码后的数字信号再进行交织处理，以便进行纠错，防止传输错误。
同时为了通信安全（防窃听）进行加密处理。然后进行数字调制，即GMSK调制处理。调制后的信号再送到中频调制电路中调制到中频载波上，中频载波就是二本振输出的信号，中频调制信号再送到混频电路中与一本振的信号进行混频处理，即将中频载波变成射频载波，射频载波指900MHz左右和1800MHz左右的信号。混频输出的信号进行射频放大和功率放大，射频放大是进行电压放大，功率放大是对信号的电流进行放大，即能量放大。目的是为天线提供足够的能量使之能传输到基地站的天线。在这些电路中设有发射功率控制电路，能自动检测发射功率，自动控制功率，过大的功率会加速电池的消耗。射频（RF）功率放大的输出经双路滤波器和频带耦合器送到天线开关，经天线开关后再送到天线上，并发射出去。天线是接受和发射公用的部分。
微处理器是手机工作中的指挥中心，它接收用户的按键指令信号，根据程序对各种电路进行控制。存储器是存储手机的工作程序和数据。
1.3 手机的单元电路和集成电路芯片
1.3.1 手机的单元电路手机电路是由多个处理不同信号的电路单元组成的，各单元电路之间有着密切的关联。电路单元大都是以集成电路芯片为核心组成的。
图1-3-1所示是一部CDMA手机的组成电路，为采用MSM3100集成电路芯片的手机电路结构，它是由几个电路单元和外部电路组合构成的。
从图1-3-1所示可知，它主要是由三个集成电路芯片MSM3100、RFT3100、IFR3000及外围电路构成的。其中，MSM3100芯片是收发公用的芯片。RFT3100是发射信号处理电路，IFR3000是接收信号处理电路，其内部电路结构图如图1-3-2所示。各种频率的滤波器是单独制作的器件，在检修时要注意它们的结构特点。
当发送电话信号时，话筒将话音转换成电信号，并送入MSM 3100芯片，在该芯片中进行A/D转换和数字信号处理（I/Q处理），经处理后的I/Q信号送到RFT 3100集成芯片之中，进行中频调制（T×I/Q调制处理），将基带信号调制到中频载波上，发射中频压控振荡器（VCO）为调制电路提供中频载波。中频载波经自动增益控制放大器（AGC放大器）后又经IF滤波，滤除干扰和噪波后，再送回RFT 3100芯片内进行上变频，即在混频器中将中频载波变成射频载波信号（RF信号）。对这种双频手机来说，它的发射信号也采用双频方式。上变频器的输出也有两种频带的信号（900MHz/1800MHz），这两个信号分别经双路发射滤波器和功率放大器，最后再经双工滤波器，经天线接口从天线上发射出去。图1-3-1 CD MA手机的组成电路图1-3-2 IFR3000型芯片内部电路结构图
当接收信号时，天线接收的信号经天线接口和双工滤波器分别送到集成芯片IFR 3000中的两个低噪声放大器，放大所接收的射频信号，接收的射频信号也是900MHz和1800MHz的信号。低噪声放大器的输出经两路滤波器滤波后在集成芯片中进行混频处理的接收信号与外差信号（UHF VCO）在混频电路中进行差频处理，即降频转换。用CDMA中频滤波器提取中频信号，中频信号经AGC放大器放大后进行R×I/Q解调，双模锁相环频率合成器产生的中频信号为解调电路提供外差信号。
R×I/Q解调电路输出的信号分别经双路滤波器（I/Q FM滤波器和I/Q CDMA滤波器），滤波后的数字信号经解码电路输出数字音频信号，该信号送入MSM3100型芯片中进行D/A转换变成模拟音频信号后去驱动扬声器，还原出电话的声音。
图1-3-3所示是采用MSM5200型芯片的CDMA手机电路。这种电路格式在很多的CDMA手机中得到了广泛的应用。
图1-3-3所示的电路同前述的电路相比，性能更好，电路更简化，功能更强，此外，还增设了蓝牙处理器。图1-3-3 采用MS M5200型芯片的CD MA手机电路1.3.2 手机单元电路中的集成电路芯片
手机中的集成电路芯片多采用贴片式封装形式的超大规模集成电路，其功能非常强大。且随手机品种、型号的不同，电路的结构及所采用的集成电路芯片也各有不同。
1．手机前端电路中的集成电路芯片（1）由SI4200系列芯片构成的手机接收电路
图1-3-4所示为采用SI4200系列芯片的三星T488型手机接收电路，在该电路中，使用了4个集成芯片，它们分别是射频信号处理电路U104（SI4200）、中频信号处理电路U105（SI4201）、外差信号产生电路U103（SI4133-T）和数字信号处理电路U406（VP40578）。图1-3-4 采用SI4200系列芯片的三星T488型手机接收电路（2）由SI4200系列芯片构成的手机射频电路
图1-3-5所示是采用SI4200系列芯片的三星T408型手机射频信号处理电路。可以看到，在该手机射频电路中，也采用了SI4200系列芯片，其电路结构比较简洁，外部元器件也比较少。电路主要由5个集成电路芯片构成。
其中U104（SI4200）是接收和发射公用的电路，接收信号的低噪声放大、混频、A/D转换和发射信号的变频（调制）处理都在一个射频电路中处理。U103（SI4133-T）是外差信号产生集成电路，它采用锁相环方式（PLL方式），产生射频外差信号和中频外差信号，该电路以U102晶体时钟振荡器的信号为基准使整个手机的时钟信号保持同步关系。U105（SI4201）是接收信号中频集成电路，它主要是对中频信号进行解调处理。U406（VP40578）是手机基带信号处理电路。U106是一个双通道射频功率放大器，它是用于放大待发的射频信号。该电路具有自动功率控制功能，可以稳定输出信号的幅度。图1-3-5 三星T408型手机的射频信号处理电路
图1-3-6所示是本振信号产生集成电路SI4133型芯片的内部电路结构方框图，从图可以看出该电路的信号产生原理。基准晶体振荡器信号由×IN与输入作为本振电路的基准信号，经分频电路（÷R）送到三个锁相环电路中做鉴相器的基准。RF 1、RF 2、I F分别为三个本振信号的压控振荡器。压控振荡器输往分频电路（÷R）作为比较信号在鉴相器中与基准信号比较，鉴相器将误差信号转换成直流电压经滤波后去控制压控振荡器（VCO），使VCO的输出信号与基准信号同步。（3）由9210系列芯片构成的手机前端电路
图1-3-7所示为采用9210系列芯片构成的诺基亚3105型手机信号接收电路。从图中可以看出电路结构和信号处理过程如下：
天线接收的射频信号经天线接口和双路滤波器（900MHz/1800MHz），将收到的射频载波信号送到低噪声放大器（LNA）中进行放大，SW是增益控制开关，SW接近时增益降低。LNA的输出再经高频带通滤波器滤除干扰和噪波送入射频信号放大器（RFA）放大，接着进行混频处理与本振送来的射频载波信号进行差频，将射频信号变成中频信号，经中频放大的中频滤波提取中频信号。中频信号送入VGA（压控增益放大器）。中频信号放大后再进行I/Q解调。中频压控振荡器（VCO）输出的信号给1/2分频器形成中频本振信号，送入I/Q解调器中将数字话音信号从中频载波上解调出来。经两路CDMA带通滤波器滤除数字信号中的干扰和噪波并放大后途经基带信号处理电路进行数字处理。图1-3-6 SI4133型芯片的内部电路结构方框图图1-3-7 诺基亚3105型手机的信号接收电路
图1-3-8所示为采用9210系列芯片的射频集成电路，它是由接收射频处理、发射射频处理和本振信号产生电路三部分组成的。天线接收的射频信号在集成电路中与本振混频和I/Q处理输出解调后的I/Q信号。在发送信号时，话音信号经数字处理和调制形成的I/Q信号供射频集成电路进行混频调制到射频载波上，送往射频功率放大器放大后，再由天线发射出去。图1-3-8 采用9210型芯片的射频集成电路
2．手机充电电路中的集成电路芯片
图1-3-9所示为手机的充电电路流程图，手机电池的充电是由专门的充电器将交流220V变成低压直流，信号通过手机中的充电控制电路对电池进行充电。充电控制电路在向电池充电的同时，还不断地检测电池的电量及电池的状态。当充电完成后自动停止充电，并通过控制微处理器显示电池的电量。
图1-3-10所示为手机电池常用的充电控制电路，该电路的主体是LTC 1734ES 6-4.2。由充电器产生的直流电压加到U 305的③脚，充电启动控制信号加到U 305的④脚，U 305的⑥脚输出充电驱动信号经U 305为电池提供充电流。
图1-3-11所示是手机充电控制集成电路的内部结构方框图，充电器送入的直流电压加到③脚作为集成电路的电源，在集成电路内部作为恒流源电池提供驱动信号。驱动控制信号加到④脚。⑥脚的输出信号控制充电晶体管的充电电流。充电晶体管的集电极接到电池的正端。集成电路①脚输出的电流为充电晶体管供电。电池的电压加到集成电路的⑤脚，作为电池电压的检测信号。电池电压达到额定值时，检测电路切断⑥脚的输出自动停止充电。在集成电路中还设有温度检测和电流检测电路，通过这些电路的工作达到自动控制和自动保护的目的。图1-3-9 手机充电电路流程图图1-3-10 手机电池常用的充电控制电路图1-3-11 手机充电控制集成电路的内部结构方框图
3．手机FM收益电路中的集成电路芯片
图1-3-12所示为诺基亚7210型手机中的FM收音电路。该电路制作在手机电路板上，可以使用手机收听调频立体声广播节目，它采用了单片集成电路，具有性能好结构简单的特点。
FM天线收到的信号加到35脚在IC内经放大和混频处理输出FM中频信号，该信号经放大振幅和FM解调及立体声解码输出双声道立体声信号从23脚、22脚输出。图1-3-12 诺基亚7 210型手机中的FM收音电路
第2章 手机集成电路芯片及其组合电路
2.1 手机中常用的集成电路芯片
2.1.1 YMU757B型语音处理芯片YMU757B型语音处理芯片是一种应用于手机中处理高品质语音音调的大规模集成电路芯片。其内部电路结构方框图如图2-1-1所示。封装形式和引脚排列方式如图2-1-2所示。内部信号处理过程如图2-1-3所示。图2-1-1 YMU757B型芯片的内部电路结构方框图图2-1-2 YMU757B型芯片的封装形式和引脚排列方式图2-1-3 YMU757B型芯片的内部信号处理过程
YMU757B型芯片提供多种不同的应用程序支持的数据格式，包括铃声和持续旋律的音乐。内置的FM调频合成器能产生各种各样的原版音乐信号，同时它的内置音序器在设有负载控制器时能同时产生4种不同音质的声音信号。其串行数据接口经先入先出电路（FIFO）能实现再现和弦音乐的数据且设有数据容量的限制。
芯片内置的放大器可驱动电动型扬声器，能直接与扬声器进行连接。同时，这种大规模集成电路也可使用诸如耳机等模拟输出终端。在待机模式下，能量消耗极小（通常可以减至1μW或更小）。
YMU757B型语音处理芯片的引脚功能见表2-1所列。表2-1 YMU757B型语音处理芯片的引脚功能2.1.2 CX20524型模拟信号驱动器芯片
图2-1-4所示为CX20524型模拟信号驱动器芯片的电路模型。图2-1-5所示为CX20524型模拟信号驱动器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-4 CX20524型模拟信号驱动器芯片的电路模型图2-1-5 CX20524型模拟信号驱动器芯片的内部电路结构方框图2.1.3 ML2011型GSM处理器芯片
图2-1-6所示为ML2011型GSM处理器芯片的内部功能电路结构方框图。图2-1-6 ML2011型GSM处理器芯片的内部电路结构方框图2.1.4 MAX2393型W-TDD射频接收集成电路芯片
MAX2393型W－TDD射频接收集成电路芯片是一款用于3GPP WCDMA的全集成直接变频接收电路。MAX2393型芯片提供了从天线到基带I/Q输出的完整接收机解决方案，无需使用片外的中频SAW和外部的接收机本振（LO）生成与合成电路。图2-1-7所示为MAX2393型W－TDD射频接收集成电路芯片的内部电路结构方框图。在MAX2393型芯片的内部，信道带宽（1.92MHz/0.64MHz）的选择由芯片内元器件完成。图2-1-7 MAX2393型W－TDD射频接收集成电路芯片的内部电路结构方框图
MAX2393型芯片包括一个片内带输出匹配和两级增益模式的超低电流噪声放大器（LNA）；零中频解调器具有差分电路结构，可获得更高的IP2，本振到接收机输入端的泄漏更小；通过接收机基带部分的片内低通滤波器可进行信道选择。2.1.5 MAX2390型零中频接收集成电路芯片
图2-1-8所示为MAX2390型零中频接收集成电路芯片的内部电路结构方框图。2.1.6 MAX2392型TD-SCDMA射频集成电路芯片
图2-1-9所示为MAX2392型TD－SCDMA射频集成电路芯片的内部电路结构及外围电路。2.1.7 MAX2396型射频接收集成电路芯片
图2-1-10所示为MAX2396型射频接收集成电路芯片的内部电路结构及外围电路。图2-1-8 MAX2390型零中频接收集成电路芯片的内部电路结构方框图图2-1-9 MAX2392型TD－SCDMA射频集成电路芯片的内部电路结构及外围电路图2-1-10 MAX2396型射频接收集成电路芯片的内部电路结构及外围电路2.1.8 MC13821型低噪声射频放大器芯片
图2-1-11所示为MC13821型低噪声射频放大器芯片（1575MHz）。图2-1-11 MC13821型低噪声射频放大器芯片（1575MHz）
图2-1-12所示为MC13821型低噪声射频放大器芯片（1960MHz）。图2-1-12 MC13821型低噪声射频放大器芯片（1960MHz）
图2-1-13所示为MC13821型低噪声射频放大器芯片（2140MHz）。图2-1-13 MC13821型低噪声射频放大器芯片（2140MHz）
图2-1-14所示为MC13821型低噪声射频放大器芯片（2400MHz）。
其中，基带处理器是手机的重要组成部件，它是处理音频数据、视频数据、电源管理及各种控制数据的电路，相当于一个协议处理器，负责数据处理与存储。主要电路有数字信号处理器（DSP）、微控制器（MCU）、内存（SRAM\FLASH）等电路单元。
模拟基带处理器在工作时将各种模拟电路送来的信号进行数字转换后再进行处理，而随着多媒体技术和移动通信技术的发展，基带处理器的集成程度大大提高，功能也更加强大，有些手机中的基带处理器（芯片）包含数字和模拟两种电路，是集两者于一体的处理器芯片。这种芯片不仅支持多种通信标准，而且提供多媒体功能以适应各种图像传感器和音/视频设备的接口。图2-1-14 MC13821型低噪声射频放大器芯片（2400MHz）2.1.9 Si4133型射频频率合成器芯片
图2-1-15所示为Si4133型射频频率合成器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-15 Si4133型射频频率合成器芯片的内部电路结构方框图
图2-1-16所示为采用Si4133—GT型射频频率合成器芯片构成的射频信号产生电路。图2-1-16 采用Si4133—GT型射频频率合成器芯片构成的射频信号产生电路
图2-1-17所示为采用Si4133—GM型射频频率合成器芯片构成的射频信号产生电路。图2-1-17 采用Si4133—GM型射频频率合成器芯片构成的射频信号产生电路2.1.10 CX77304－17型射频功率放大器芯片
图2-1-18所示为CX77304—17型射频功率放大器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-18 CX77304—17型射频功率放大器芯片的内部电路结构方框图2.1.11 RF3166型射频功率放大器芯片
图2-1-19所示为RF3166型射频功率放大器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-19 RF3166型射频功率放大器芯片的内部电路结构方框图2.1.12 AAT3110型微功率稳压器芯片
图2-1-20所示为采用AAT3110型集成电路芯片的稳压电路。图2-1-20 AAT3110型集成电路芯片的稳压电路
图2-1-21所示为AAT3110型为功率稳压器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-21 AAT3110型功率稳压器芯片的内部电路结构方框图
图2-1-22所示为采用AAT3110型集成电路芯片构建的升压型稳压电路。图2-1-22 采用AAT3110型集成电路芯片构建的升压型稳压电路
图2-1-23所示为采用AAT3110型集成电路芯片构建的减小波纹型稳压电路。图2-1-23 采用AAT3110型集成电路芯片构建的减小波纹型稳压电路
图2-1-24所示为采用AAT3110－5型集成电路芯片构建的升压转换电路。图2-1-24 采用AAT3110－5型集成电路芯片构建的升压转换电路
图2-1-25所示为采用AAT3110－5型集成电路芯片构建的USB电源稳压电路。图2-1-25 采用AAT3110－5型集成电路芯片构建的USB电源稳压电路
图2-1-26所示为采用AAT3110－5型集成电路芯片构建的LED驱动电路。图2-1-26 采用AAT3110－5型集成电路芯片构建的LED驱动电路
图2-1-27所示为采用双AAT3110－5型集成电路芯片构建的稳压电路。图2-1-27 采用双AAT3110－5型集成电路芯片构建的稳压电路2.1.13 RF3145型射频功率放大器芯片
图2-1-28所示为RF3145型射频功率放大器芯片的内部电路结构方框图和外围电路。图2-1-28 RF3145型射频功率放大器芯片的内部电路结构方框图和外围电路
图2-1-29所示为RF3145型射频功率放大器芯片的电源启动电路内部电路结构方框图。图2-1-29 RF3145型射频功率放大器芯片的电源启动电路内部电路结构方框图
图2-1-30所示为RF3145型射频功率放大器芯片电源启动电路的时序关系图。图2-1-30 RF3145型射频功率放大器芯片电源启动电路的时序关系图
图2-1-31所示为RF3145型射频功率放大器芯片电源启动电路。
图2-1-32所示为RF3145型射频功率放大器芯片的引脚排列示意图。图2-1-31 RF3145型射频功率放大器芯片电源启动电路图2-1-32 RF3145型射频功率放大器芯片的引脚排列示意图2.1.14 TQ3131型CDMA/AMPS低噪声射频放大器芯片
图2-1-33所示为TQ3131型CDMA/AMPS低噪声射频放大器芯片的电路结构。图2-1-33 TQ3131型CDMA/AMPS低噪声射频放大器芯片的电路结构2.1.15 TQ5131型CDMA/AMPS频率放大和混频集成电路芯片
图2-1-34所示为TQ5131型CDMA/AMPS频率放大和混频集成电路芯片的电路结构。图2-1-34 TQ5131型CDMA/AMPS频率放大和混频集成电路芯片的电路结构2.1.16 RF3100－3型射频放大器芯片
图2-1-35所示为RF3100－3型射频放大器芯片的电路结构。图2-1-35 RF3100－3型射频放大器芯片的电路结构2.1.17 CX77105型射频功率集成电路芯片
图2-1-36所示为CX77105型射频功率集成电路芯片的电路结构。
图2-1-37所示为CX77105型射频功率集成电路芯片的内部电路结构方框图。2.1.18 LMX2350/2352/2354型低功耗双通道频率合成器芯片
图2-1-38所示为LMX2350/2352/2354型低功耗双通道频率合成器芯片的内部电路结构方框图。
图2-1-39所示为LMX2350/2352/2354型低功耗双通道频率合成器芯片的引脚排列示意图。图2-1-36 CX77105型射频功率集成电路芯片的电路结构图2-1-37 CX77105型射频功率集成电路芯片的内部功能方框图图2-1-38 LMX2350/2352/2354型低功耗双通道频率合成器芯片的内部电路结构方框图图2-1-39 LMX2350/2352/2354型低功耗双通道频率合成器芯片的引脚排列示意图2.1.19 IFR3000型射频接收（中放/基带）处理器芯片
图2-1-40所示为IFR3000型射频接收（中放/基带）处理器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-40 IFR3000型射频接收（中放/基带）处理器芯片的内部电路结构方框图2.1.20 IFT3000型射频发射处理器芯片
图2-1-41所示为IFT3000型射频发射处理器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-41 IFT3000型射频发射处理器芯片的内部电路结构方框图2.1.21 RFT3100型射频发射处理器芯片
图2-1-42所示为RFT3100型射频发射处理器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-42 RFT3100型射频发射处理器芯片的内部电路结构方框图2.1.22 PMB6256型射频直接转换器芯片
图2-1-43所示为PMB6256型射频直接转换器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-43 PMB6256型射频直接转换器芯片的内部电路结构方框图2.1.23 BCM2035型蓝牙模块芯片
图2-1-45所示为BCM2035型蓝牙模块芯片的应用电路模型。
图2-1-44所示为BCM2035型蓝牙模块芯片的内部电路结构方框图。图2-1-44 BCM2035型蓝牙模块芯片的内部电路结构方框图图2-1-45 BCM2035型蓝牙模块芯片的应用电路模型2.1.24 PMB6811型电源管理集成电路芯片
图2-1-46所示为PMB6811型电源管理集成电路芯片的内部电路结构方框图。图2-1-46 PMB6811型电源管理集成电路芯片的内部电路结构方框图2.1.25 CMY212型射频混频器芯片
图2-1-47所示为CMY212型射频混频器芯片的电路结构。图2-1-47 CMY212型射频混频器芯片的电路结构2.1.26 MAX5864型模拟前端集成电路芯片
图2-1-48所示为MAX5864型模拟前端集成电路芯片的内部电路结构方框图。图2-1-48 MAX5864型模拟前端集成电路芯片的内部电路结构方框图2.1.27 MAX2387/2388/2389型低噪声混频放大器芯片
图2-1-49所示为MAX2387/2388/2389型低噪声混频放大器芯片的电路结构。图2-1-49 MAX2387/2388/2389型低噪声混频放大器芯片的电路结构2.1.28 YMU759B型音频频率合成器芯片
图2-1-50所示为YMU759B型音频频率合成器芯片的内部电路结构方框图。
图2-1-51所示为YMU759B型音频频率合成器芯片的工作流程图。
图2-1-52所示为YMU759B型音频频率合成器芯片的封装形式和引脚排列示意图。图2-1-50 YMU759B型音频频率合成器芯片的内部电路结构方框图图2-1-51 YMU759B型音频频率合成器芯片的工作流程图图2-1-52 YMU759B型音频频率合成器芯片的封装形式和引脚排列示意图2.1.29 YMU762/765型音频频率合成器芯片
图2-1-53所示为YMU762/765型音频频率合成器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-53 YMU762/765型音频频率合成器芯片的内部电路结构方框图
图2-1-54所示为YMU762/765型音频频率合成器芯片的工作流程图。图2-1-54 YMU762/765型音频频率合成器芯片的工作流程图
图2-1-55所示为YMU762/765型音频频率合成器芯片的封装形式和引脚排列示意图。图2-1-55 YMU762/765型音频频率合成器芯片的封装形式和引脚排列示意图2.1.30 BC41B143A型蓝牙模块芯片
图2-1-56所示为BC41B143A型蓝牙模块芯片的电路结构。
图2-1-57所示为BC41B143A型蓝牙模块芯片的内部电路结构方框图。2.1.31 TEA5761UK型FM立体声收音集成电路芯片
图2-1-58所示为TEA5761UK型FM立体声收音集成电路芯片的电路结构。图2-1-56 BC4 1B1 43A型蓝牙模块芯片的电路结构图2-1-57 BC4 1B1 43A型蓝牙模块芯片的内部电路结构方框图图2-1-58 TEA 576 1UK型FM立体声收音集成电路芯片的电路结构
图2-1-59所示为TEA5761UK型FM立体声收音集成电路芯片的引脚排列示意图。图2-1-59 TEA5761UK型FM立体声收音集成电路芯片的引脚排列示意图2.1.32 LM4990型音频功率放大器芯片
图2-1-60所示为LM4990型音频功率放大器芯片的引脚排列示意图。图2-1-60 LM4990型音频功率放大器芯片的引脚排列示意图
图2-1-61所示为LM4990型音频功率放大器芯片的差动输出方式。图2-1-61 LM4990型音频功率放大器芯片的差动输出方式
图2-1-62所示为由LM4990型音频功率放大器芯片构成的高增益放大电路。图2-1-62 由LM4990型音频功率放大器芯片构成的高增益放大电路2.1.33 ADXL345型数字加速器芯片
图2-1-63所示为ADXL345型数字加速器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-63 ADXL345型数字加速器芯片的内部电路结构方框图
图2-1-64所示为ADXL345型数字加速器芯片的引脚排列示意图。图2-1-64 ADXL345型数字加速器芯片的引脚排列示意图2.1.34 TMP105型数字温度传感器芯片
图2-1-65所示为TMP105型数字温度传感器芯片的电路结构。图2-1-65 TMP105型数字温度传感器芯片的电路结构
图2-1-66所示为TMP105型数字温度传感器芯片的内部电路结构方框图和引脚排列示意图。图2-1-66 TMP105型数字温度传感器芯片的内部电路结构方框图和引脚排列示意图2.1.35 MBC13916型低噪声射频放大器芯片
图2-1-67所示为MBC13916型低噪声射频放大器芯片的电路结构。图2-1-67 MBC13916型低噪声射频放大器芯片的电路结构2.1.36 FDC6329L型集成负载开关芯片
图2-1-68所示为FDC6329L型集成负载开关芯片的内部电路结构。图2-1-68 FDC6329L型集成负载开关芯片的内部电路结构
图2-1-69所示为FDC6329L型集成负载开关芯片的应用电路。图2-1-69 FDC6329L型集成负载开关芯片的应用电路2.1.37 LMS5213型低压差集成稳压器芯片
图2-1-70所示为LMS5213型低压差集成稳压器芯片的电路结构。图2-1-70 LMS5213型低压差集成稳压器芯片的电路结构
图2-1-71所示为LMS5213型低压差集成稳压器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-71 LMS5213型低压差集成稳压器芯片的内部电路结构方框图
图2-1-72所示为LMS5213型低压差集成稳压器芯片的实用电路。图2-1-72 LMS5213型低压差集成稳压器芯片的实用电路2.1.38 R1140Q型高精度低压差集成稳压器芯片
图2-1-73所示为R1140Q型高精度低压差集成稳压器芯片的电路结构。图2-1-73 R1140Q型高精度低压差集成稳压器芯片的电路结构
图2-1-74所示为R1140Q型高精度低压差集成稳压器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-74 R1140Q型高精度低压差集成稳压器芯片的内部电路结构方框图2.1.39 MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片
图2-1-75所示为MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片的电路结构。图2-1-75 MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片的电路结构
图2-1-76所示为MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片的封装形式及引脚排列示意图。图2-1-76 MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片的封装形式及引脚排列示意图
图2-1-77所示是由MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片构成的固定输出稳压电路。图2-1-77 由MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片构成的固定输出稳压电路
图2-1-78所示是由MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片构成的可调输出稳压电路。图2-1-78 由MIC5025型低噪波低压差（LDO）集成稳压器芯片构成的可调输出稳压电路2.1.40 LP3985型微功率低噪波超低压差集成稳压器芯片
图2-1-79所示为LP3985型微功率低噪波超低压差集成稳压器芯片的电路结构。图2-1-79 LP3985型微功率低噪波超低压差集成稳压器芯片的电路结构
图2-1-80所示为LP3985型微功率低噪波超低压差集成稳压器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-80 LP3985型微功率低噪波超低压差集成稳压器芯片的内部电路结构方框图
图2-1-81所示为LP3985型微功率低噪波超低压差集成稳压器芯片的封装形式及引脚排列示意图。图2-1-81 LP3985型微功率低噪波超低压差集成稳压器芯片的封装形式及引脚排列示意图2.1.41 AAT4280A型电压转换频率（SR）负载开关芯片
图2-1-82所示为AAT4280A型电压转换频率（SR）负载开关芯片的电路结构。图2-1-82 AAT4280A型电压转换频率（SR）负载开关芯片的电路结构
图2-1-83所示为AAT4280A型电压转换频率（SR）负载开关芯片的内部电路结构方框图。图2-1-83 AAT4280A型电压转换频率（SR）负载开关芯片的内部电路结构方框图2.1.42 MAX8640型开关集成稳压器芯片
图2-1-84所示为MAX8640型开关集成稳压器芯片的电路结构及引脚排列，图2-1-85所示为MAX8640型开关集成稳压器芯片的内部电路结构方框图。图2-1-84 MAX8640型开关集成稳压器芯片的电路结构及引脚排列图2-1-85 MAX8640型开关集成稳压器芯片的内部电路结构方框图2.1.43 MAX7327型I2C通道扩展器芯片
12路推挽输出和4路漏极开路接口的MAX7327型I2C通道扩展器芯片内部电路结构方框图，如图2-1-86所示。图2-1-86 MAX7327型I2C通道扩展器芯片内部电路结构方框图
图2-1-87所示是由MAX7327型I2C通道扩展器芯片构成的LED驱动电路。图2-1-87 由MAX7327型I2C通道扩展器芯片构成的LED驱动电路
图2-1-88所示为MAX7327型芯片的封装形式及引脚排列。图2-1-88 MAX7327型芯片的封装形式及引脚排列2.1.44 SKY77555型射频功放和天线开关集成电路芯片
图2-1-89所示是由MAX77555型射频功放和天线开关集成电路芯片构成的电路结构方框图。图2-1-89 由MAX77555型射频功放和天线开关集成电路芯片构成的电路结构方框图2.1.45 SKY77548型射频功放和天线开关集成电路芯片
图2-1-90所示是由SKY77548型射频功放和天线开关集成电路芯片构成的电路结构方框图。2.1.46 SKY77518型射频功放和天线开关集成电路芯片
图2-1-91所示是由SKY77518型射频功放和天线开关集成电路芯片构成的内部电路结构方框图。图2-1-90 由SKY77548型射频功放和天线开关集成电路芯片构成的电路结构方框图图2-1-91 由SKY77518型射频功放和天线开关集成电路芯片构成的内部电路结构方框图2.1.47 STLC2500型蓝牙芯片
图2-1-92所示为STLC2500型蓝牙芯片的内部电路结构方框图。2.1.48 SAF1508型USB收发集成电路芯片
图2-1-93所示为SAF1508型USB收发集成电路芯片的内部电路结构方框图。图2-1-92 STLC2500型蓝牙芯片的内部电路结构方框图图2-1-93 SAF1508型USB收发集成电路芯片的内部电路结构方框图
图2-1-94所示是由SAF1508型芯片构成的USB信号收发处理电路。图2-1-94 由SAF1508型芯片构成的USB信号收发处理电路2.1.49 NCP360型USB过压保护器芯片
图2-1-95所示为NCP360型USB过压保护器芯片的保护电路。图2-1-95 NCP360型USB过压保护器芯片的保护电路
图2-1-96所示为NCP360芯片的内部结构。
图2-1-97所示为NCP360芯片的引脚排列。图2-1-96 NCP360芯片的内部结构图2-1-97 所示为NCP360芯片的引脚排列2.1.50 R5323X系列双LDO集成稳压器芯片
图2-1-98所示为R5323X系列的LDO稳压器芯片的电路结构。图2-1-98 R5323X系列的LDO稳压器芯片的电路结构
图2-1-99所示为R5323xxxxA系列芯片的内部电路结构方框图。
图2-1-100所示为R5323xxxxB系列芯片的内部电路结构方框图。图2-1-99 R5323xxxxA系列芯片的内部电路结构方框图图2-1-100 R5323xxxxB系列芯片的内部电路结构方框图2.1.51 STW4141型数字基带/多媒体处理器集成电路芯片
图2-1-101所示是由STW4141型芯片构成的单线圈双输出降压型DC/DC稳压器。图2-1-101 由STW4141型芯片构成的单线圈双输出降压型DC/DC稳压器
图2-1-102所示为STW4141型芯片的工作方式可自动切换（PWM/PFM）示意图。图2-1-102 STW4141型芯片的工作方式可自动切换（PWM/PFM）示意图
图2-1-103所示为具有用户强制选择功能的STW4141型芯片电源供电电路。
图2-1-104所示为由STW4141型芯片同步控制的外部时钟信号电路。图2-1-103 STW4141型芯片的电源供电电路图2-1-104 由STW4141型芯片同步控制的外部时钟信号电路2.1.52 TPS852型光传感器芯片
图2-1-105所示为TPS852型光传感器芯片的电路结构。图2-1-105 TPS852型光传感器芯片的电路结构
图2-1-106所示为TPS852型芯片的内部功能方框图和引脚排列。图2-1-106 TPS852型芯片的内部功能方框图和引脚排列2.1.53 MAX8830型发光二极管闪光控制集成电路芯片
图2-1-107所示为MAX8830型芯片的发光二极管闪光控制电路结构图。
图2-1-108所示为MAX8830型芯片的内部电路结构方框图。图2-1-107 MAX8830型芯片的发光二极管闪光控制电路结构图图2-1-108 MAX8830型芯片的内部电路结构方框图2.1.54 MAX8840型超低噪声低压线性稳压器芯片
图2-1-109所示为MAX8840型芯片的电路结构图及引脚排列图。图2-1-109 MAX8840型芯片的电路结构图及引脚排列图
图2-1-110所示为MAX8840型芯片的内部电路结构方框图。图2-1-110 MAX8840型芯片的内部电路结构方框图2.1.55 LM3208型稳压器芯片
图2-1-111所示为采用LM3208型芯片构建的稳压电路。图2-1-111 采用LM3208型芯片构建的稳压电路
图2-1-112所示为LM3208型芯片的内部电路结构方框图。图2-1-112 LM3208型芯片的内部电路结构方框图
图2-1-113所示为LM3208型芯片在控制系统中的应用电路。图2-1-113 LM3208型芯片在控制系统中的应用电路2.1.56 LP3982型微功率超低压低噪声稳压器芯片
图2-1-114所示为由LP3982型芯片构成的稳压电路。图2-1-114 由LP3982型芯片构成的稳压电路
图2-1-115所示为LP3982型芯片的封装形式及引脚排列。图2-1-115 LP3982型芯片的封装形式及引脚排列
图2-1-116所示为LP3982型芯片的内部电路结构方框图。图2-1-116 LP3982型芯片的内部电路结构方框图
图2-1-117所示是由LP3982型芯片构建的具有电源接通延迟复位功能的应用电路。图2-1-117 由LP3982型芯片构建的具有电源接通延迟复位功能的应用电路
图2-1-118所示为LP3982型芯片的电池检测电路。图2-1-118 LP3982型芯片的电池检测电路2.1.57 N2525型三轴加速计（传感器）芯片
图2-1-119所示为N2525型三轴加速计（传感器）芯片的内部电路结构方框图。图2-1-119 N2525型三轴加速计（传感器）芯片的内部电路结构方框图
图2-1-120所示为N2525型三轴加速计（传感器）芯片的封装形式及引脚排列。图2-1-120 N2525型三轴加速计（传感器）芯片的封装形式及引脚排列
N2525型三轴加速计（传感器）芯片的引脚功能见表2-2所列。表2-2 N2525型三轴加速计（传感器）芯片的引脚功能2.1.58 N2401型ESD保护器芯片
图2-1-121所示为N2401型ESD保护器芯片的引脚排列。图2-1-121 N2401型ESD保护器芯片的引脚排列2.1.59 N2402型与NCP360型ESD保护器芯片
图2-1-122所示为N2402型与NCP360型ESD保护器芯片的电路结构和引脚排列。图2-1-122 N2402型与NCP360型ESD保护器芯片的电路结构和引脚排列2.1.60 STLC2592型蓝牙和FM收音一体化芯片
图2-1-123所示为STLC2592型蓝牙和FM收音一体化芯片的内部电路结构方框图。图2-1-123 STL C25 92型蓝牙和FM收音一体化芯片的内部电路结构方框图
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