作者：圣才学习网
出版社：圣才教育
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童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）配套题库【名校考研真题＋课后习题＋章节题库＋模拟试题】试读：
第一部分 名校考研真题
第1章 常用半导体器件
一、选择题
1．电路如图1-1所示，设D的稳定电压为6V，D的稳定电压Z1Z2为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，输出电压Uo等于（ ）。[北京科技大学2011研]图1-1
A.．18V
B．6.7V
C．12.7V
D．6V【答案】B【解析】由电压源可以判断电流方向为顺时针方向，D是反向接Z1入，D是正向接入。又由于稳压管只有工作在反向区，才表现出稳Z2 压特性，所以输出电压U即为D稳定电压6V与D正向压降0.7V之oZ1 Z2 和，即6.7V。
2．测得某晶体管三个电极之间的电压分别为U＝－0.2V，UBECE＝－5V，U＝4.8V，则此晶体管的类型为( )[北京科技大学2010BC研]
A．PNP锗管
B．NPN锗管
C．PNP硅管
D．NPN硅管【答案】A【解析】由|U|＝0.2可判断为锗管，因为硅管的|U|＝0.7。晶体管BEBE工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置，即NPN管U＜U＜U，PNP管U＜U＜U。由题中U＝－0.2V知EBCCBEBEU＜U；由U＝－5V知U＜U，由U＝4.8V知U＞U，综上BECECEBCBCU＜U＜U,即为PNP管。CBE
3．不加栅源电压，存在导电沟道的场效应管是( )。[北京邮电大学2010研]
A．P沟道增强型场效应管
B．N沟道耗尽型场效应管
C．P沟道结型场效应管
D．N沟道增强型场效应管【答案】BC【解析】凡栅源电压为0时，漏极电流也为0的管子均属于增强型管；凡栅源电压为0时，漏极电流不为0的管子均属于耗尽型管。结型场效应管当栅源电压为0时，耗尽层较窄，导电沟道较宽。
二、计算分析题
1．测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)[哈尔滨工业大学2005研]
解：根据管子的状态判断其工作区域：放大区，；截止区，；饱和区，。
(1)放大区。
(2)放大区。
(3)饱和区。
(4)截止区。
(5)饱和区。
2．已知某场效应管的I＝10mA，U＝－4V，试绘出该管的DSSP转移特性曲线，并计算在u＝0时的g。[北京航空航天大学2005GSm0研]
解：由题意可知，该管为结型场效应管，利用它的转移特性方程
对应不同的u求出相应的漏极电流i，如表1-1所示。GSVD表1-1
根据表1.1所列数据作出u为定值的转移特性曲线，如图1.26所DS示。
因为低频跨导，所以有
比较两式，得
可见，零偏压跨导g越大，表示场效应管的放大能力越强。m0图1-2
3．稳压管电路如图1-3所示，已知稳定的电压U＝6V，允许功Z耗P＝180mW。试回答：ZM
(1)当R＝1kΩ时，L
(2)当R＝50Ω时，L
(3)当R＝50Ω时，仍保持稳定电路正常工作，须采取什么措施?L[东南大学2002研]图1-3
解：(1)设稳压管不导通，则其开路管压降为
超过了稳压管的击穿电压6V，故稳压管可击穿而进入稳压状态。
因此有
可见，稳压管可安全工作。
(2)若R＝50Ω，设稳压管未击穿，则其开路管压降为L
远小于稳压管的击穿电压6V，故稳压管不工作。
因此有U＝U＝2.4VZO（3）若在R＝50Ω的情况下，仍要稳压管工作而起稳压作用，则L必须减小限流电阻R。
由KCL，I＝I+IRLZ
假设稳压管工作，则有U＝6V，I＝0.12A，LL
有U＝6V故I＝6/RRR
知当正常工作时，I、I、I均大于0RLC
故得R<50
为保证稳压管稳定击穿，且不会烧坏稳压管，保证安全工作，则有且RRL
求稳压管临界电流
总临界电流为
试读结束[说明：试读内容隐藏了图片]